Navegação Teses por assunto "czochralski method"

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  • IPEN-DOC 07543

    TARELHO, LUIZ V.G. . Caracterizacao espectroscopica e dinamica temporal dos processos de transferencia de energia entre os ions Tm sup(3+) - Ho sup(3+) e Yb sup(3+) - Tm sup(3+) em cristais de LiYF sub(4) e LiLuF sub(4). 2001. Tese (Doutoramento) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP, Sao Paulo. 115 p. Orientador: Laercio Gomes.

    Palavras-Chave: lasers; energy transfer; crystal doping; energy-level transitions; lithium fluorides; diode-pumped solid state lasers; yttrium fluorides; gadolinium fluorides; lutetium fluorides; holmium; absorption spectra; luminescence; excited states; czochralski method; cross sections; rare earths; thulium ions; ytterbium ions; experimental data

  • IPEN-DOC 07149

    RANIERI, IZILDA M. . Crescimento de cristais de LiY sub(1-x) TR sub(x) F sub(4):Nd (TR=Lu ou Gd) para aplicacoes opticas. 2001. Tese (Doutoramento) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP, Sao Paulo. 153 p. Orientador: Spero Penha Morato.

    Palavras-Chave: crystal growth; czochralski method; laser materials; diode-pumped solid state lasers; lithium fluorides; lasers; yttrium fluorides; rare earths; neodymium; phase diagrams; melting points; crystal structure; x-ray spectroscopy; optical properties

  • IPEN-DOC 18248

    SANTOS, THAIS C. dos . Dosimetria de elétrons em processos de irradiação com diodos resistentes a danos de radiação / Electron dosimetry in irradiation processing with rad-hard diodes . 2012. Tese (Doutoramento) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, São Paulo. 137 p. Orientador: Carmem Cecilia Bueno. DOI: 10.11606/T.85.2012.tde-05112012-095317

    Abstract: Este trabalho teve como objetivo o desenvolvimento de sistemas dosimétricos baseados em diodos especiais de Si, resistentes a danos de radiação, para monitoração online de processos de irradiação com elétrons de 1,5 MeV de energia e para dosimetria relativa e escaneamento de feixe de elétrons clínicos dentro de uma faixa de energia de 6 a 21 MeV. Os diodos utilizados foram produzidos pelos métodos de fusão zonal padrão (FZ), Czochralski em presença de um campo magnético (MCz) e crescimento Epitaxial (EPI). Para utilizar os diodos como detectores, eles foram fixados em uma base de alumina permitindo a ligação dos eletrodos de polarização e de extração de sinais. Após a montagem na base, cada diodo foi fixado em uma sonda acrílica preta dotada de uma janela de Mylar® aluminizado e de conector do tipo LEMO®. Com os dispositivos operando em modo fotovoltaico, a integração dos sinais de corrente em função do tempo de irradiação permitiu obter a carga produzida no volume sensível de cada diodo irradiado. O acelerador de elétrons utilizado para as irradiações de doses altas foi o DC 1500/25/4 - JOB 188 de 1,5 MeV instalado no Centro de Tecnologia das Radiações do IPEN/CNEN-SP. Foram estudados o perfil da corrente em função do tempo de exposição, a repetibilidade de resposta, a sensibilidade em função da dose absorvida e a curva resposta de cada dispositivo. Foi observada uma queda na sensibilidade mais acentuada para o diodo MCz do que para o diodo FZ e uma boa repetibilidade nos dois casos. Ainda, o aumento da carga com a dose absorvida obedeceu a uma função polinomial de segunda ordem. Na caracterização do diodo EPI, ele exibiu melhor repetibilidade que a obtida por dosímetros CTA, rotineiramente aplicados em processamento por radiação. Os resultados acima descritos indicam a potencial utilização desses diodos de Si resistentes a danos de radiação em dosimetria online para aplicações envolvendo elevadas doses. Para as irradiações de doses baixas foram utilizados os Aceleradores Lineares KD2 e Primus, ambos fabricados pela Siemens e instalados no Hospital Sírio-Libanês. A resposta dos diodos foi avaliada para energias de 6 a 21 MeV. Foram estudados: a repetibilidade de resposta, a curva dose-resposta em função da dose absorvida, a sensibilidade em carga com a energia do feixe de elétrons, a porcentagem de dose profunda (PDP) e o perfil transversal de dose. Apesar da resposta dos diodos FZ, MCz e EPI serem levemente dependentes da energia do feixe de elétrons, a resposta dosimétrica, em todo o intervalo de energia de feixe estudado, mostrou-se linear. Ainda, em relação aos diodos epitaxiais, os dispositivos estudados mostraram excelente acordo com simulações de Monte Carlo e medições realizadas com MatriXX®, demonstrando que os dispositivos podem ser usados como dosímetros em elétrons radioterápicos para escaneamento de varredura de feixe, mapeamento de distribuições de dose de feixes, monitoramento rotineiro da constância do fator calibração e dosimetria relativa.

    Palavras-Chave: dosimetry; radiation dose units; electromagnetic radiation; semiconductor detectors; li-drifted si detectors; radiation hardening; silicon diodes; electron beams; beam scanners; zone melting; czochralski method; epitaxy; crystal growth methods

  • IPEN-DOC 12750

    SANTOS, IVANILDO A. dos . Estudo das soluções sólidas de LiGdsub(1-x)Lusub(x)Fsub(4) visando o crescimento de cristais / Study of LiGd(1-x)Lu(x)F4 solid solutions aiming the crystal growth . 2008. Dissertação (Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energéticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP, São Paulo. 103 p. Orientador: Izilda Marcia Ranieri. DOI: 10.11606/D.85.2008.tde-27082009-163738

    Abstract: No presente trabalho o comportamento de fusão de soluções sólidas do tipo LiGd1-xLuxF4 foram estudadas utilizando a técnica de fusão zonal, tendo em vista o desenvolvimento de novas matrizes para lasers do estado sólido. Os cristais de composição LiGd0,5Lu0,5F4 foram sistematicamente investigados. A caracterização física e química dos lingotes obtidos mostrou que este composto apresenta fusão incongruente. Posteriormente foram estudadas algumas composições do LiGd1-xLuxF4 (x = 0,60; 0,65 e 0,75), para estabelecer a composição a partir da qual começa a formação de compostos congruentes no pseudosistema LiGdF4-LiLuF4. A caracterização dos lingotes, utilizando-se as técnicas de microscopia eletrônica de varredura, espectrometria de energia dispersiva e difração de raios X, permitiu determinar que o LiGd1-xLuxF4 torna-se congruente a partir de valores de x em torno de 75 mol%. Nesta etapa do trabalho, as sínteses e os processos de fusão zonal foram realizados sob atmosfera reativa de HF, para garantir a obtenção de compostos de alta pureza. Dois monocristais de composições nominais de LiGd0,25Lu0,75F4 e LiGd0,232Lu0,75Nd0,018F4 foram crescidos com sucesso utilizando-se o método de Czochralski, sob atmosfera de Ar + CF4. A partir dos dados de concentração dos constituintes, obtidos por ICP-OES, para o cristal do dopado com neodímio, verificou-se que o íon Lu e o Gd apresentam variação de composição ao longo do cristal, sendo que a incorporação do íon Nd na rede compete com a do Gd. O valor médio calculado para o coeficiente de segregação do Nd nesta matriz foi de 0,22(1), para o Lu foi de 1,10(1) e para o Gd foi de 0,61(1). A espectroscopia de absorção mostrou que houve um alargamento das bandas em relação às bandas do LiLuF4:Nd. As secções de choque de absorção e os tempos de vida do nível 4F3/2 foram obtidos para três amostras com composições diferentes de Nd.

    Palavras-Chave: crystal growth; rare earths; fluorides; solid state lasers; czochralski method

  • IPEN-DOC 13100

    FERRARI, MARCO A. . Laser de Nd:YLF para aplicacoes em lidas / Nd:YLF Laser for LIDAR applications . 2008. Dissertação (Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN-CNEN/SP, Sao Paulo. 99 p. Orientador: Niklaus Ursus Wetter. DOI: 10.11606/D.85.2008.tde-02092009-150039

    Abstract: A utilização de lasers de estado sólido bombeados por diodos laser tem atraído interesse crescente devido a sua alta eficiência, seu tamanho compacto e com a possibilidade da operação com altas potências-pico. O objetivo deste trabalho foi estudar configurações de cavidades ressonantes laser, que possibilitem a obtenção de pulsos chaveados Q e futura dobra de freqüência, para aplicações em LIDAR (Light Detection and Ranging), utilizando como meio ativo cristais de Nd:YLF crescidos pelo método de Czochralski no Centro de Lasers e Aplicações IPEN USP, com bombeio lateral por diodo laser, com uma, duas, quatro e nove reflexões internas totais do feixe laser na superfície do cristal. Das seis cavidades construídas, três cavidades foram desenvolvidas para operarem com baixo ganho, grande armazenamento de energia e com grande aproveitamento de inversão de população, bombeadas com diodo laser em 806 nm e outras três cavidades foram desenvolvidas para operarem com alta absorção de bombeio e alto ganho, bombeadas com diodo laser emitindo em 797 nm. Das seis cavidades desenvolvidas, as que apresentaram melhor eficiência de conversão óptica, foram as cavidades operando com alto ganho e alta absorção (cavidade quatro a seis), com 29,5% e 20,7% de eficiência de conversão óptica, propiciando a obtenção de pulsos chaveados de 20 ns com potência-pico de 160kW.

    Palavras-Chave: diode-pumped solid state lasers; q-switching; crystal growth; czochralski method; peak load

  • IPEN-DOC 02033

    BALDOCHI, SONIA L. . Sintese e crescimento de cristais de BaLiFsub3 puros e dopados com Pb. 1993. Tese (Doutoramento) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP, Sao Paulo. 136 p. Orientador: Spero Penha Morato.

    Palavras-Chave: barium fluorides; lithium fluorides; monocrystals; crystal growth; crystal doping; doped materials; lead; lasers; czochralski method; x-ray fluorescence analysis; crystal growth; synthesis

  • IPEN-DOC 07973

    VIDAL, AUGUSTO T. . Sintese e crescimento de cristais fluoretos dopados com terras raras: LiCAF:Er e BLF:TR (TR = Yb sup(3+), Ce sup(3+), Nd sup(3+)). 2001. Dissertacao (Mestrado) - Instituto de Pesquisas Energeticas e Nucleares - IPEN/CNEN-SP, Sao Paulo. 83 p. Orientador: Sonia Licia Baldochi.

    Palavras-Chave: crystals; synthesis; crystal growth; lithium fluorides; barium fluorides; aluminium fluorides; rare earths; crystal doping; czochralski method

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Autor: Maprelian

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O gerenciamento do Repositório está a cargo da Biblioteca do IPEN. Constam neste RI, até o presente momento 20.950 itens que tanto podem ser artigos de periódicos ou de eventos nacionais e internacionais, dissertações e teses, livros, capítulo de livros e relatórios técnicos. Para participar do RI-IPEN é necessário que pelo menos um dos autores tenha vínculo acadêmico ou funcional com o Instituto. Nesta primeira etapa de funcionamento do RI, a coleta das publicações é realizada periodicamente pela equipe da Biblioteca do IPEN, extraindo os dados das bases internacionais tais como a Web of Science, Scopus, INIS, SciElo além de verificar o Currículo Lattes. O RI-IPEN apresenta também um aspecto inovador no seu funcionamento. Por meio de metadados específicos ele está vinculado ao sistema de gerenciamento das atividades do Plano Diretor anual do IPEN (SIGEPI). Com o objetivo de fornecer dados numéricos para a elaboração dos indicadores da Produção Cientifica Institucional, disponibiliza uma tabela estatística registrando em tempo real a inserção de novos itens. Foi criado um metadado que contém um número único para cada integrante da comunidade científica do IPEN. Esse metadado se transformou em um filtro que ao ser acionado apresenta todos os trabalhos de um determinado autor independente das variáveis na forma de citação do seu nome.

A elaboração do projeto do RI do IPEN foi iniciado em novembro de 2013, colocado em operação interna em julho de 2014 e disponibilizado na Internet em junho de 2015. Utiliza o software livre Dspace, desenvolvido pelo Massachusetts Institute of Technology (MIT). Para descrição dos metadados adota o padrão Dublin Core. É compatível com o Protocolo de Arquivos Abertos (OAI) permitindo interoperabilidade com repositórios de âmbito nacional e internacional.

1. Portaria IPEN-CNEN/SP nº 387, que estabeleceu os princípios que nortearam a criação do RDI, clique aqui.


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O Repositório Digital do IPEN é um equipamento institucional de acesso aberto, criado com o objetivo de reunir, preservar, disponibilizar e conferir maior visibilidade à Produção Científica publicada pelo Instituto, desde sua criação em 1956.

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